摘要:
开发和分析了高灵敏度集成在近程的硅基双屏障结构。伽玛辐射对结构型肖特基势垒和p-n结电流输运机制的影响。结果表明,双势垒结构可以提高常规探测器的光电参数。我们研究了伽玛辐射对整个结构中电流机制起源的影响,以及在肖特基势垒中P - n -跃迁。也研究了辐射对两种势垒结构光电参数和光致发光参数的影响。所示这两种势垒结构可以提高常规探测器的光电参数。研制了一种在短波范围内提高综合灵敏度的硅基光探测器。影响辐射尺度对机理的影响一个电流of在结构上像肖特基的障碍,在?- - - - - - ?-过渡被研究。研究表明,双势垒结构可以改善传统探测器的光电参数。研究了辐射对双势垒结构光电参数和光致发光参数的影响。
关键字:
硅光电探测器,双势垒结构,?- - - - - - ?-跃迁和肖特基势垒,光致发光。