管理Eletro物理特性基于硅辐射缺陷的双屏障结构

Fakhraddin Pasha Abasov.

电子邮件: fpabasov(at)mail.ru
  • 名称:Fakhraddin Pasha Abasov.
  • 电话:+0505487976
  • 国家:阿塞拜疆
  • 收到的日期:2019年12月30日
  • 接受日期:2020年3月16日
  • 发布日期:2020年3月16日

指定:辐射物理半导体材料实验室,辐射问题研究所,国家科学院,阿塞拜疆

引文:ABASOV FP(2020)管理ELETRO物理特性基于硅辐射缺陷的双屏障结构。INT J Nano RECH VOL:3,ISSU:1(13-17)。

版权:©2020 Abasov FP。这是在创意公约归因许可的条款下分发的开放式文章,其允许在任何媒体中不受限制地使用,分发和再现,只要原始作者和来源被记入。

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