抽象的:

在过去的十年里，人们对高电子迁移率晶体管（hemt）的发展进行了几次尝试。本文分析了AIN/GaN/AlGaN双异质结构HEMTs的小信号模型。本文提出了一种改进的、适用于毫米波应用的HEMTs参数提取方法。给出了传输过程中损耗的不同性能参数及其随频率的变化。对不同装置进行了适当的稳定性比较。在室温和最大跨导的特定偏置点（VttS=1.0V，VDS=10V）下，测量了频率范围为0.1ghz～40ghz的散射参数（透射和反射系数）。同时考虑了S参数的所有虚部和实部以及阻抗参数。完整的行为和设备承受提到的频率提出。通过S参数估计来评估执行情况，利用去嵌入方法来评估SSM拓扑中包含的器件的内在和外在参数。提出并验证了完整的分析方法。将实验值与模拟值进行了比较，结果表明两者具有很好的一致性。